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三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

来源:中电网 2022-12-21 10:57中投网 A-A+

   -三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展

  三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米(nm)级工艺技术打造的16GbDDR5DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。

  三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人JooyoungLee表示:"三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效,我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"

  AMD高级副总裁、企业院士兼客户、计算、图形首席技术官JoeMacri表示:"创新往往少不了与行业伙伴的密切合作,来拓宽技术的边界。我们很高兴能与三星电子再度合作,特别是推出在Zen平台上优化和验证的DDR5内存产品。"

  这一技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容,以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术,新款DRAM拥有三星最高的DDR5Die密度(Diedensity),可使晶圆生产率提高20%。

  基于DDR5最新标准,三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒(Gbps)的速度,这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清(UHD)电影。

  新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。与上一代三星DRAM产品相比,12nm级DRAM的功耗降低约23%,对于更多追求环保经营的全球IT企业来说,这将会是值得考虑的优选解决方案。

  随着2023年新款DRAM量产,三星计划将这一基于先进12nm级工艺技术的DRAM产品扩展到更广泛的市场领域,同时继续与行业伙伴合作,推动下一代计算的快速发展。

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