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2019-2023年中国氮化镓(GaN)产业深度调研及投资前景预测报告

首次出版:2017年9月最新修订:2019年7月交付方式:特快专递(2-3天送达)

报告属性:共230页、12.1万字、155个图表下载目录版权声明

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报告目录内容概述 定制报告

第一章 氮化镓相关概述
1.1 氮化镓基本介绍
1.1.1 氮化镓基本概念
1.1.2 氮化镓形成阶段
1.1.3 氮化镓性能优势
1.1.4 氮化镓半导体作用
1.2 氮化镓材料的特性
1.2.1 结构特性
1.2.2 化学特性
1.2.3 光学特性
1.2.4 电学性质
1.2.5 磁学特性
1.3 氮化镓的制备方法
1.3.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术
1.3.2 分子束外延(MBE)技术
1.3.3 氢化物气相外延(HVPE)技术
1.3.4 悬空外延技术(Pendeo-epitaxy)
第二章 2017-2019年半导体材料行业发展综述
2.1 半导体材料相关概述
2.1.1 第一代半导体材料
2.1.2 第二代半导体材料
2.1.3 第三代半导体材料
2.1.4 半导体材料的应用
2.2 2017-2019年全球半导体材料发展状况
2.2.1 市场销售规模
2.2.2 区域分布状况
2.2.3 细分市场结构
2.2.4 市场竞争状况
2.3 2017-2019年中国半导体材料行业运行状况
2.3.1 应用环节分析
2.3.2 产业支持政策
2.3.3 市场销售规模
2.3.4 细分市场结构
2.3.5 产业转型升级
2.4 中国半导体材料行业存在的问题及发展对策
2.4.1 行业发展滞后
2.4.2 产品同质化问题
2.4.3 供应链不完善
2.4.4 行业发展建议
2.4.5 行业发展思路
2.5 半导体材料产业未来发展前景展望
2.5.1 行业发展趋势
2.5.2 行业需求分析
2.5.3 行业前景分析
第三章 2017-2019年氮化镓产业发展深度分析
3.1 氮化镓产业发展综述
3.1.1 产业链条分析
3.1.2 产业发展历程
3.1.3 产业支持政策
3.1.4 国产化将加速
3.2 2017-2019年氮化镓市场发展状况
3.2.1 氮化镓市场发展现状
3.2.2 氮化镓市场需求状况
3.2.3 氮化镓应用领域分析
3.2.4 氮化镓产业链供应商
3.2.5 氮化镓区域集聚发展
3.2.6 氮化镓器件发展瓶颈
3.3 氮化镓产业技术及研发状况
3.3.1 产业自主创新
3.3.2 产业研发进展
3.3.3 技术专利分析
第四章 2017-2019年氮化镓器件主要类型发展分析
4.1 发光二极管(LED)
4.1.1 发光二极管(LED)发展概述
4.1.2 发光二极管(LED)市场发展现状
4.1.3 发光二极管进出口数据分析
4.1.4 氮化镓基蓝绿光LED发展历程
4.1.5 氮化镓在LED领域的技术突破
4.2 场效应晶体管(FET)
4.2.1 场效应晶体管(FET)发展概述
4.2.2 GaN FET与硅FET的比较分析
4.2.3 GaN FET产品的应用情况
4.3 激光二极管(LD)
4.3.1 激光二极管(LD)发展概述
4.3.2 激光二极管(LD)背景技术
4.3.3 激光器进出口市场数据分析
4.3.4 GaN基激光器发展概况分析
4.3.5 GaN基激光器技术发展情况
4.4 二极管(Diodes)
4.4.1 二极管(Diodes)发展概述
4.4.2 二极管进出口数据分析
4.4.3 氮化镓二极管技术发展状况
4.5 射频器件(RF)
4.5.1 射频器件(RF)发展概述
4.5.2 GaN射频器件市场发展状况
4.5.3 GaN射频元件企业发展分析
4.6 太阳能电池(Solar Cells)
4.6.1 2017-2019年中国太阳能电池进出口数据分析
4.6.2 InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池发展概述
4.6.3 InGaN/GaN量子阱太阳能电池效率影响因素
4.6.4 InGaN/GaN量子阱太阳能电池效率提升工艺
4.6.5 InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池发展展望
第五章 2017-2019年氮化镓应用领域分析
5.1 氮化镓在电力电子产业的应用
5.1.1 电力电子器件产业发展意义
5.1.2 GaN应用在电力电子领域的优势
5.1.3 GaN电力电子器件产品分析
5.1.4 GaN电力电子器件分布情况
5.1.5 GaN组件商品化带来的机遇
5.1.6 电力电子器件市场未来发展方向
5.1.7 “十三五”中国电力电子发展重点
5.2 氮化镓在新能源产业的应用
5.2.1 新能源行业相关政策支持
5.2.2 新能源行业整体发展形势
5.2.3 新能源发电建设和运行情况
5.2.4 GaN大功率器件需求潜力
5.3 氮化镓在智能电网产业的应用
5.3.1 发展智能电网的重要意义
5.3.2 智能电力设备发展分析
5.3.3 智能电力设备关键技术
5.3.4 GaN大功率器件需求潜力
5.4 氮化镓在通讯设备产业的应用
5.4.1 通讯设备市场需求分析
5.4.2 通讯设备制造业运行分析
5.4.3 GaN大功率器件需求潜力
5.5 氮化镓其他领域应用分析
5.5.1 GaN在4C产业的应用
5.5.2 GaN在无线基站领域应用
5.5.3 GaN在紫外探测领域的应用
5.5.4 GaN在红外探测领域的应用
5.5.5 GaN在压力传感器中的应用
5.5.6 GaN在生物化学探测领域的应用
第六章 2017-2019年国际氮化镓产业重点企业经营状况分析
6.1 MACOM
6.1.1 企业发展概况
6.1.2 企业经营状况
6.1.3 企业产品动态
6.2 科沃(Qorvo)
6.2.1 企业发展概况
6.2.2 企业经营状况
6.2.3 企业产品开发
6.3 雷神
6.3.1 企业发展概况
6.3.2 企业经营状况
6.3.3 企业发展动态
6.4 恩智浦
6.4.1 企业发展概况
6.4.2 企业经营状况
6.4.3 企业产品发布
6.5 英飞凌
6.5.1 企业发展概况
6.5.2 企业经营状况
6.5.3 企业产品动态
第七章 2017-2019年中国氮化镓产业重点企业经营状况分析
7.1 苏州纳维科技有限公司
7.1.1 企业发展概况
7.1.2 企业主营业务
7.1.3 企业发展成就
7.2 苏州能讯高能半导体有限公司
7.2.1 企业发展概况
7.2.2 企业发展成就
7.2.3 企业项目进展
7.3 东莞市中镓半导体科技有限公司
7.3.1 企业发展概况
7.3.2 企业人才队伍
7.3.3 企业获得荣誉
7.3.4 公司专利技术
7.3.5 企业发展规划
7.4 三安光电股份有限公司
7.4.1 企业发展概况
7.4.2 经营效益分析
7.4.3 业务经营分析
7.4.4 财务状况分析
7.4.5 核心竞争力分析
7.4.6 公司发展战略
7.4.7 未来前景展望
7.5 杭州士兰微电子股份有限公司
7.5.1 企业发展概况
7.5.2 经营效益分析
7.5.3 业务经营分析
7.5.4 财务状况分析
7.5.5 核心竞争力分析
7.5.6 公司发展战略
7.6 四川海特高新技术股份有限公司
7.6.1 企业发展概况
7.6.2 经营效益分析
7.6.3 业务经营分析
7.6.4 财务状况分析
7.6.5 核心竞争力分析
7.6.6 公司发展战略
7.6.7 未来前景展望
第八章 2019-2023年氮化镓产业投资分析及前景预测
8.1 氮化镓产业投资潜力分析
8.1.1 产业投资机会
8.1.2 企业并购案例
8.1.3 企业并购金额
8.1.4 投资扩产状况
8.1.5 区域投资分布
8.2 氮化镓产业发展前景展望
8.2.1 产业发展前景
8.2.2 市场应用潜力
8.2.3 市场发展机遇
8.3 中投顾问对2019-2023年中国氮化镓市场预测分析
8.3.1 2019-2023年中国氮化镓市场影响因素分析
8.3.2 2019-2023年中国5G基站GaN功放市场规模预测

图表目录

图表1 半导体发展历程
图表2 硅、砷化镓、氮化镓主要电学性质参数比较
图表3 半导体材料性能比较
图表4 砷化镓/氮化镓半导体的作用
图表5 纤锌矿结构和闪锌矿结构两种结构的结构特性
图表6 三代半导体材料常温下部分性质
图表7 半导体材料的主要应用
图表8 2010-2018年全球半导体材料销售额及增速
图表9 2010-2018年中国半导体材料销售额及增速
图表10 2018年全球半导体材料市场区域占比情况
图表11 2010-2018年全球晶圆制造及封装材料市场销售规模
图表12 2017年全球晶圆制造材料市场规模
图表13 SiC电子电力产业的全球分布特点
图表14 半导体材料主要应用于晶圆制造与封测环节
图表15 半导体材料相关支持政策(一)
图表16 半导体材料相关支持政策(二)
图表17 半导体材料相关支持政策(三)
图表18 半导体材料相关支持政策(四)
图表19 2017-2022年中国半导体材料市场销售额统计情况及预测
图表20 2016-2020年中国晶圆制造及封装材料市场销售规模
图表21 2017年国内晶圆制造材料细分领域
图表22 GaN器件产业链各环节及主要企业
图表23 GaN外延用不同衬底的对比
图表24 GaN器件主要产品与工艺技术
图表25 GaN器件发展史
图表26 国家集成电路产业发展纲要
图表27 GaN器件适用于功率器件市场
图表28 2018年国内第三代半导体集聚区建设进展(一)
图表29 2018年国内第三代半导体集聚区建设进展(二)
图表30 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研发进展
图表31 RF GaN领域主要专利权人的专利组合强度
图表32 LED的生产流程
图表33 LED器件按封装形式分类
图表34 LED器件按应用领域分类
图表35 2014-2019年国内LED产值规模分析
图表36 2014-2019年国内LED室内照明市场规模及增速
图表37 2017-2019年中国发光二极管进出口总额
图表38 2017-2019年中国发光二极管进出口(总额)结构
图表39 2017-2019年中国发光二极管贸易顺差规模
图表40 GaN FET SOA曲线示例
图表41 电感硬开关测试电路
图表42 Transphorm汽车级GaN FET产品示意图
图表43 2017-2019年中国激光器进出口总额
图表44 2017-2019年中国激光器进出口(总额)结构
图表45 2017-2019年中国激光器贸易顺差规模
图表46 苏州纳米所研制的GaN蓝光激光器
图表47 苏州纳米所研制的绿光激光器光功率-电流曲线
图表48 苏州纳米所研制的绿光激光器激射光谱
图表49 不同显示技术所能显示的色域范围对比图
图表50 二极管结构图
图表51 二极管的图形符号
图表52 硅二极管典型伏安特性曲线
图表53 二极管的好坏判断
图表54 2017-2019年中国二极管进出口总额
图表55 2017-2019年中国二极管进出口(总额)结构
图表56 2017-2019年中国二极管贸易顺差规模
图表57 再生长GaN二极管中的1/C2-V特性曲线
图表58 器件结构图以及n-GaN漂移层中的掺杂浓度变化
图表59 2017-2019年中国太阳能电池进出口总额
图表60 2017-2019年中国太阳能电池进出口(总额)结构
图表61 2017-2019年中国太阳能电池贸易顺差规模
图表62 InGaN材料带隙对应的AM1.5太阳光谱的覆盖
图表63 量子阱区域结构设计对InGaN/GaN量子阱太阳能电池特性的影响
图表64 光强和温度对InGaN/GaN量子阱太阳电池性能的影响
图表65 表面纳米结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池的性能特性
图表66 具有反射镜结构的InGaN/GaN量子阱太阳电池特性
图表67 垂直InGaN/GaN量子阱太阳能电池结构图
图表68 垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池的性能特性
图表69 GaN晶体管性能分析
图表70 2018年GaN功率半导体新产品
图表71 2018年GaN功率模块新产品
图表72 GaN器件应用领域及电压分布情况
图表73 分布式发电、储能及转化系统
图表74 电力电子在智能电网中的应用
图表75 2013-2018年移动宽带(3G/4G)用户发展情况
图表76 2017-2018年固定互联网宽带各接入速率用户占比情况
图表77 2013-2018年互联网宽带接入端口发展情况
图表78 2013-2018年移动电话基站发展情况
图表79 2016-2017财年MACOM综合收益表
图表80 2016-2017财年MACOM分部资料
图表81 2016-2017财年MACOM收入分地区资料
图表82 2017-2018财年MACOM综合收益表
图表83 2017-2018财年MACOM分部资料
图表84 2017-2018财年MACOM收入分地区资料
图表85 2018-2019财年MACOM综合收益表
图表86 2018-2019财年MACOM分部资料
图表87 2018-2019财年MACOM收入分地区资料
图表88 2016-2017财年科沃综合收益表
图表89 2016-2017财年科沃分部资料
图表90 2017-2018财年科沃综合收益表
图表91 2017-2018财年科沃分部资料
图表92 2018-2019财年科沃综合收益表
图表93 2018-2019财年科沃分部资料
图表94 2018-2019财年科沃收入分地区资料
图表95 2016-2017年雷神综合收益表
图表96 2016-2017年雷神分部资料
图表97 2016-2017年雷神收入分地区资料
图表98 2017-2018年雷神综合收益表
图表99 2017-2018年雷神分部资料
图表100 2017-2018年雷神收入分地区资料
图表101 2018-2019年雷神综合收益表
图表102 2018-2019年雷神分部资料
图表103 2018-2019年雷神收入分地区资料
图表104 2016-2017财年恩智浦综合收益表
图表105 2016-2017财年恩智浦分部资料
图表106 2016-2017财年恩智浦收入分地区资料
图表107 2017-2018财年恩智浦综合收益表
图表108 2017-2018财年恩智浦分部资料
图表109 2017-2018财年恩智浦收入分地区资料
图表110 2018-2019财年恩智浦综合收益表
图表111 2016-2017财年英飞凌科技公司综合收益表
图表112 2016-2017财年英飞凌科技公司分部资料
图表113 2016-2017财年英飞凌科技公司收入分地区资料
图表114 2017-2018财年英飞凌科技公司综合收益表
图表115 2017-2018财年英飞凌科技公司分部资料
图表116 2017-2018财年英飞凌科技公司收入分地区资料
图表117 2018-2019财年英飞凌科技公司综合收益表
图表118 2018-2019财年英飞凌科技公司分部资料
图表119 2018-2019财年英飞凌科技公司收入分地区资料
图表120 2016-2019年三安光电股份有限公司总资产及净资产规模
图表121 2016-2019年三安光电股份有限公司营业收入及增速
图表122 2016-2019年三安光电股份有限公司净利润及增速
图表123 2018年三安光电股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
图表124 2016-2019年三安光电股份有限公司营业利润及营业利润率
图表125 2016-2019年三安光电股份有限公司净资产收益率
图表126 2016-2019年三安光电股份有限公司短期偿债能力指标
图表127 2016-2019年三安光电股份有限公司资产负债率水平
图表128 2016-2019年三安光电股份有限公司运营能力指标
图表129 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司总资产及净资产规模
图表130 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司营业收入及增速
图表131 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司净利润及增速
图表132 2018年杭州士兰微电子股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
图表133 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司营业利润及营业利润率
图表134 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司净资产收益率
图表135 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司短期偿债能力指标
图表136 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司资产负债率水平
图表137 2016-2019年杭州士兰微电子股份有限公司运营能力指标
图表138 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司总资产及净资产规模
图表139 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司营业收入及增速
图表140 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司净利润及增速
图表141 2017-2018年四川海特高新技术股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
图表142 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司营业利润及营业利润率
图表143 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司净资产收益率
图表144 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司短期偿债能力指标
图表145 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司资产负债率水平
图表146 2016-2019年四川海特高新技术股份有限公司运营能力指标
图表147 2018年国际第三代半导体行业SiC和GaN领域并购情况(一)
图表148 2018年国际第三代半导体行业SiC和GaN领域并购情况(二)
图表149 2018年国内第三代半导体领域投资扩产详情(一)
图表150 2018年国内第三代半导体领域投资扩产详情(二)
图表151 2018年国内第三代半导体领域投资扩产详情(三)
图表152 2015-2018年各区域项目投资分布情况
图表153 2023年GaN射频市场规模预测
图表154 GaN符合5G基站建设趋势
图表155 中投顾问对2019-2023年中国5G基站GaN功放市场规模预测

 

氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,属于第三代半导体。与前两半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用,它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱,这一发展历程融合了多种因素,是其一致发挥作用的结果。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消,最近,其凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出,成为大多数射频应用中可替代砷化镓和LDMOS的最具成本竞争优势的材料。

2017年中国GaN射频市场规模约为12亿元,无线通信基站约占20%,即2.4亿元,2018年由于5G通信试验基站的建设,基站端GaN射频器件同比增长达75%,达4.2亿元。

2018年7月,国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布。路线图主要从衬底/外延/器件、封装/模块、SiC应用、GaN应用等四个方面展开论述,提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测。在5G、新能源汽车、能源互联网、轨道交通、国防军备等下游应用领域快速发展带动下,第三代半导体产业将成为未来半导体产业发展的重要引擎,这也将带动GaN产业的发展。

中投产业研究院发布的《2019-2023年中国氮化镓(GaN)产业深度调研及投资前景预测报告》共八章。首先介绍了氮化镓的概念、特性、制备方法等,接着分析了半导体材料和氮化镓产业的整体发展状况。然后报告从主要类型、应用领域、国内外企业等方面对氮化镓行业进行了系统解析,最后报告对氮化镓产业的投资潜力及发展前景进行了科学的预测。

本研究报告数据主要来自于国家统计局、国家海关总署、商务部、财政部、工信部、中投产业研究院、中投产业研究院市场调查中心以及国内外重点刊物等渠道,数据权威、详实、丰富,同时通过专业的分析预测模型,对行业核心发展指标进行科学地预测。您或贵单位若想对氮化镓产业有个系统深入的了解、或者想投资该行业,本报告将是您不可或缺的重要参考工具。

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