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2022-2026年中国第三代半导体行业深度调研及投资前景预测报告(上下卷)

首次出版:2019年12月最新修订:2022年6月交付方式:特快专递(2-3天送达)

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十四五将是中国技术和产业升级的关键期,重点机会有哪些?
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报告目录内容概述 定制报告

第一章 第三代半导体相关概述
1.1 第三代半导体基本介绍
1.1.1 基础概念界定
1.1.2 主要材料简介
1.1.3 历代材料性能
1.1.4 产业发展意义
1.2 第三代半导体产业发展历程分析
1.2.1 材料发展历程
1.2.2 产业演进全景
1.2.3 产业转移路径
1.3 第三代半导体产业链构成及特点
1.3.1 产业链结构简介
1.3.2 产业链图谱分析
1.3.3 产业链生态体系
1.3.4 产业链体系分工
第二章 2020-2022年全球第三代半导体产业发展分析
2.1 2020-2022年全球第三代半导体产业运行状况
2.1.1 标准制定情况
2.1.2 国际产业格局
2.1.3 市场发展规模
2.1.4 SiC创新进展
2.1.5 GaN创新进展
2.1.6 企业竞争格局
2.1.7 企业发展布局
2.1.8 企业合作动态
2.2 美国
2.2.1 经费投入规模
2.2.2 产业技术优势
2.2.3 技术创新中心
2.2.4 项目研发情况
2.2.5 战略层面部署
2.3 日本
2.3.1 产业发展计划
2.3.2 封装技术联盟
2.3.3 技术领先状况
2.3.4 产业战略部署
2.3.5 国际合作动态
2.4 欧盟
2.4.1 项目研发情况
2.4.2 产业发展基础
2.4.3 前沿企业格局
2.4.4 未来发展热点
第三章 2020-2022年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析
3.1 政策环境(Political)
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 行业标准现行情况
3.1.4 中美贸易摩擦影响
3.2 经济环境(Economic)
3.2.1 宏观经济概况
3.2.2 工业运行情况
3.2.3 投资结构优化
3.2.4 未来经济展望
3.3 社会环境(Social)
3.3.1 社会教育水平
3.3.2 知识专利水平
3.3.3 研发经费投入
3.3.4 技术人才储备
3.4 技术环境(Technological)
3.4.1 专利申请状况
3.4.2 科技计划专项
3.4.3 制造技术成熟
3.4.4 产业技术联盟
第四章 2020-2022年中国第三代半导体产业发展分析
4.1 中国第三代半导体产业发展特点
4.1.1 数字基建打开成长空间
4.1.2 背光市场空间逐步扩大
4.1.3 衬底和外延是关键环节
4.1.4 各国政府高度重视发展
4.1.5 产业链向国内转移明显
4.2 2020-2022年中国第三代半导体产业发展运行综述
4.2.1 产业发展现状
4.2.2 产线产能规模
4.2.3 产业标准规范
4.2.4 国产替代状况
4.2.5 行业发展空间
4.3 2020-2022年中国第三代半导体市场运行状况分析
4.3.1 市场发展规模
4.3.2 细分市场规模
4.3.3 市场应用分布
4.3.4 区域竞争格局
4.3.5 企业竞争格局
4.3.6 产品发展动力
4.4 2020-2022年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析
4.4.1 上游金属硅产能释放
4.4.2 上游金属硅价格走势
4.4.3 上游氧化锌市场现状
4.4.4 上游材料产业链布局
4.4.5 上游材料竞争状况分析
4.5 中国第三代半导体产业发展问题分析
4.5.1 产业发展问题
4.5.2 市场推进难题
4.5.3 技术发展挑战
4.5.4 材料发展挑战
4.6 中国第三代半导体产业发展建议及对策
4.6.1 产业发展建议
4.6.2 建设发展联盟
4.6.3 加强企业培育
4.6.4 集聚产业人才
4.6.5 推动应用示范
4.6.6 材料发展思路
第五章 2020-2022年第三代半导体氮化镓(GAN)材料及器件发展分析
5.1 GaN材料基本性质及制备工艺发展状况
5.1.1 GaN产业链
5.1.2 GaN结构性能
5.1.3 GaN制备工艺
5.1.4 GaN材料类型
5.1.5 技术专利情况
5.1.6 技术发展趋势
5.2 GaN材料市场发展概况分析
5.2.1 市场供给情况
5.2.2 材料价格走势
5.2.3 材料技术水平
5.2.4 应用市场结构
5.2.5 应用市场预测
5.2.6 市场竞争状况
5.3 GaN器件及产品研发情况
5.3.1 器件产品类别
5.3.2 GaN晶体管
5.3.3 射频器件产品
5.3.4 电力电子器件
5.3.5 光电子器件
5.4 GaN器件应用领域及发展情况
5.4.1 电子电力器件应用
5.4.2 高频功率器件应用
5.4.3 应用实现条件与对策
5.5 GaN器件发展面临的挑战
5.5.1 器件技术难题
5.5.2 电源技术瓶颈
5.5.3 风险控制建议
第六章 2020-2022年第三代半导体碳化硅(SIC)材料及器件发展分析
6.1 SiC材料基本性质与制备技术发展状况
6.1.1 SiC性能特点
6.1.2 SiC制备工艺
6.1.3 SiC产品类型
6.1.4 单晶技术专利
6.1.5 技术发展路线
6.2 SiC材料市场发展概况分析
6.2.1 产业链分析
6.2.2 材料价格走势
6.2.3 材料市场规模
6.2.4 材料技术水平
6.2.5 市场应用情况
6.2.6 企业竞争态势
6.3 SiC器件及产品研发情况
6.3.1 电力电子器件
6.3.2 功率模块产品
6.3.3 器件产品研发
6.3.4 产品发展趋势
6.4 SiC器件应用领域及发展情况
6.4.1 应用整体技术路线
6.4.2 电网应用技术路线
6.4.3 电力牵引应用技术路线
6.4.4 电动汽车应用技术路线
6.4.5 家用电器和消费类电子应用
第七章 2020-2022年第三代半导体其他材料发展状况分析
7.1 Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析
7.1.1 基础概念介绍
7.1.2 材料结构性能
7.1.3 材料制备工艺
7.1.4 主要器件产品
7.1.5 应用发展状况
7.1.6 发展建议对策
7.2 宽禁带氧化物半导体材料发展分析
7.2.1 基本概念介绍
7.2.2 材料结构性能
7.2.3 材料制备工艺
7.2.4 主要应用器件
7.3 氧化镓(Ga2O3)半导体材料发展分析
7.3.1 材料结构性能
7.3.2 材料制备工艺
7.3.3 主要技术发展
7.3.4 器件应用发展
7.3.5 未来发展趋势
7.4 金刚石半导体材料发展分析
7.4.1 材料结构性能
7.4.2 衬底制备工艺
7.4.3 主要器件产品
7.4.4 应用发展状况
7.4.5 器件研发进展
7.4.6 未来发展前景
第八章 2020-2022年第三代半导体下游应用领域发展分析
8.1 第三代半导体下游产业应用领域发展概况
8.1.1 下游应用产业分布
8.1.2 下游产业优势特点
8.1.3 下游产业需求旺盛
8.2 2020-2022年电子电力领域发展状况
8.2.1 全球市场发展规模
8.2.2 国内市场发展规模
8.2.3 国内器件应用分布
8.2.4 国内应用市场规模
8.2.5 器件厂商布局分析
8.2.6 器件产品价格走势
8.3 2020-2022年微波射频领域发展状况
8.3.1 射频器件市场规模
8.3.2 射频器件市场结构
8.3.3 射频器件市场需求
8.3.4 国防基站应用规模
8.3.5 射频器件发展趋势
8.4 2020-2022年半导体照明领域发展状况
8.4.1 发展政策支持
8.4.2 行业发展规模
8.4.3 产业链分析
8.4.4 应用市场分布
8.4.5 照明技术突破
8.4.6 技术发展方向
8.4.7 行业发展展望
8.5 2020-2022年半导体激光器发展状况
8.5.1 市场规模现状
8.5.2 企业发展格局
8.5.3 应用研发现状
8.5.4 主要技术分析
8.5.5 未来发展趋势
8.6 2020-2022年5G新基建领域发展状况
8.6.1 5G建设进程
8.6.2 应用市场规模
8.6.3 赋能射频产业
8.6.4 应用发展方向
8.6.5 产业发展展望
8.7 2020-2022年新能源汽车领域发展状况
8.7.1 行业市场规模
8.7.2 主要应用场景
8.7.3 企业布局情况
8.7.4 市场应用空间
8.7.5 市场需求预测
第九章 2020-2022年第三代半导体材料产业区域发展分析
9.1 2020-2022年第三代半导体产业区域发展概况
9.1.1 产业区域分布
9.1.2 区域建设回顾
9.2 京津翼地区第三代半导体产业发展分析
9.2.1 北京产业发展状况
9.2.2 顺义产业扶持政策
9.2.3 保定产业发展情况
9.2.4 应用联合创新基地
9.2.5 区域未来发展趋势
9.3 中西部地区第三代半导体产业发展分析
9.3.1 四川产业发展状况
9.3.2 重庆产业发展状况
9.3.3 西安产业发展状况
9.4 珠三角地区第三代半导体产业发展分析
9.4.1 广东产业发展政策
9.4.2 广州市产业支持
9.4.3 深圳产业发展状况
9.4.4 东莞产业发展状况
9.4.5 区域未来发展趋势
9.5 华东地区第三代半导体产业发展分析
9.5.1 江苏产业发展概况
9.5.2 苏州产业发展状况
9.5.3 山东产业发展规划
9.5.4 福建产业发展状况
9.5.5 区域未来发展趋势
9.6 第三代半导体产业区域发展建议
9.6.1 提高资源整合效率
9.6.2 补足SiC领域短板
9.6.3 开展关键技术研发
9.6.4 鼓励地方加大投入
第十章 2019-2022年第三代半导体产业重点企业经营状况分析
10.1 三安光电股份有限公司
10.1.1 企业发展概况
10.1.2 业务布局动态
10.1.3 经营效益分析
10.1.4 业务经营分析
10.1.5 财务状况分析
10.1.6 核心竞争力分析
10.1.7 公司发展战略
10.1.8 未来前景展望
10.2 北京赛微电子股份有限公司
10.2.1 企业发展概况
10.2.2 相关业务布局
10.2.3 经营效益分析
10.2.4 业务经营分析
10.2.5 财务状况分析
10.2.6 核心竞争力分析
10.2.7 公司发展战略
10.2.8 未来前景展望
10.3 厦门乾照光电股份有限公司
10.3.1 企业发展概况
10.3.2 经营效益分析
10.3.3 业务经营分析
10.3.4 财务状况分析
10.3.5 核心竞争力分析
10.3.6 公司发展战略
10.3.7 未来前景展望
10.4 湖北台基半导体股份有限公司
10.4.1 企业发展概况
10.4.2 经营效益分析
10.4.3 业务经营分析
10.4.4 财务状况分析
10.4.5 核心竞争力分析
10.4.6 公司发展战略
10.5 华灿光电股份有限公司
10.5.1 企业发展概况
10.5.2 经营效益分析
10.5.3 业务经营分析
10.5.4 财务状况分析
10.5.5 核心竞争力分析
10.5.6 公司发展战略
10.5.7 未来前景展望
10.6 闻泰科技股份有限公司
10.6.1 企业发展概况
10.6.2 经营效益分析
10.6.3 业务经营分析
10.6.4 财务状况分析
10.6.5 核心竞争力分析
10.6.6 公司发展战略
10.6.7 未来前景展望
10.7 株洲中车时代电气股份有限公司
10.7.1 企业发展概况
10.7.2 经营效益分析
10.7.3 业务经营分析
10.7.4 财务状况分析
10.7.5 核心竞争力分析
10.7.6 公司发展战略
第十一章 中投顾问对第三代半导体产业投资价值综合评估
11.1 行业投资背景
11.1.1 行业投资规模
11.1.2 投资市场周期
11.1.3 行业投资动态
11.1.4 行业投资前景
11.2 行业投融资情况
11.2.1 国际投资案例
11.2.2 国内投资案例
11.2.3 国际企业并购
11.2.4 国内企业并购
11.2.5 企业融资动态
11.3 行业投资壁垒
11.3.1 技术壁垒
11.3.2 资金壁垒
11.3.3 贸易壁垒
11.4 行业投资风险
11.4.1 企业经营风险
11.4.2 技术迭代风险
11.4.3 行业竞争风险
11.4.4 产业政策变化风险
11.5 行业投资建议
11.5.1 积极把握5G通讯市场机遇
11.5.2 收购企业实现关键技术突破
11.5.3 关注新能源汽车催生需求
11.5.4 国内企业向IDM模式转型
11.5.5 加强高校与科研院所合作
11.6 投资项目案例
11.6.1 项目基本概述
11.6.2 资金需求测算
11.6.3 经济效益分析
11.6.4 项目投资必要性
11.6.5 项目投资可行性
第十二章 2022-2026年中投顾问对第三代半导体产业前景与趋势预测
12.1 第三代半导体未来发展趋势
12.1.1 产业成本趋势
12.1.2 未来发展趋势
12.1.3 应用领域趋势
12.2 第三代半导体未来发展前景
12.2.1 重要发展窗口期
12.2.2 产业应用前景
12.2.3 产业发展机遇
12.2.4 产业市场机遇
12.2.5 产业发展展望
12.3 中投顾问对2022-2026年中国第三代半导体行业预测分析
12.3.1 2022-2026年中国第三代半导体行业影响因素分析
12.3.2 2022-2026年中国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值预测
附录
附录一:新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策
附录二:关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施

图表目录

图表1 第三代半导体特点
图表2 第三代半导体主要材料
图表3 不同半导体材料性能比较(一)
图表4 不同半导体材料性能比较(二)
图表5 碳化硅、氮化镓的性能优势
图表6 半导体材料发展历程及现状
图表7 半导体材料频率和功率特性对比
图表8 第三代半导体产业演进示意图
图表9 第三代半导体产业链
图表10 第三代半导体产业链
图表11 第三代半导体衬底制备流程
图表12 第三代半导体产业链全景图谱
图表13 第三代半导体健康的产业生态体系
图表14 国际电工委员会(IEC)第三代半导体标准
图表15 固态技术标准协会(JEDEC)第三代半导体标准
图表16 国际部分汽车电子标准
图表17 2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均价格
图表18 1990-2020年国外SiC技术进展
图表19 国际上已经商业化的SiC SBD的器件性能
图表20 2020年国际企业新推出的SiC MOSFET产品
图表21 国际已经商业化的SiC晶体管器件性能
图表22 2020年国际企业新推出的SiC功率模块产品
图表23 国际上已经商业化的GaN电力电子器件性能
图表24 国际上商业化的GaN射频产品性能
图表25 2020年国际企业推出的GaN射频产品
图表26 2020年国际主要第三代半导体企业布局情况(一)
图表27 2020年国际主要第三代半导体企业布局情况(二)
图表28 2020年主要第三代半导体企业合作动态
图表29 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员(一)
图表30 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员(二)
图表31 2020年美国设立的部分第三代半导体相关研发项目
图表32 日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员(一)
图表33 日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员(二)
图表34 2020年欧盟和英国设立的部分第三代半导体相关研发项目
图表35 欧洲LAST POWER产学研项目成员
图表36 《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》中第三代半导体相关内容
图表37 2019-2021年国家层面第三代半导体支持政策汇总
图表38 截至2021年地方层面第三代半导体行业相关政策汇总(一)
图表39 截至2021年地方层面第三代半导体行业相关政策汇总(二)
图表40 中国第三代半导体现行国家标准和行业标准
图表41 CASA联盟第三代半导体团体标准
图表42 2020年GDP最终核实数与初步核算数对比
图表43 2021年GDP初步核算数据
图表44 2016-2020年全部工业增加值及其增长速度
图表45 2020年主要工业产品产量及其增长速度
图表46 2020-2021年规模以上工业增加值同比增长速度
图表47 2016-2020年普通本专科、中等职业教育及普通高中招生人数
图表48 2019年专利申请、授权和有效专利情况
图表49 2016-2020年研究与试验发展(R&D)经费支出及其增长速度
图表50 2020年专利申请、授权和有效专利情况
图表51 2016-2021年全国R&D经费及投入强度情况
图表52 2016-2021年全国基础研究经费及占R&D经费比重情况
图表53 国内高校、研究所与企业的技术合作与转化
图表54 截至2021年底中国第三代半导体领域专利申请TOP10
图表55 2002-2021年中国第三代半导体领域地区专利申请趋势
图表56 国家重点研发计划2021年度第三代半导体项目申报情况(一)
图表57 国家重点研发计划2021年度第三代半导体项目申报情况(二)
图表58 中国第三代半导体产业技术创新战略联盟发起单位
图表59 第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)
图表60 全球推动第三代半导体产业和技术发展的国家计划
图表61 《中国制造2025》第三代半导体相关发展目标
图表62 2019年中国主要企业SiC、GaN产能
图表63 2019-2020年中国第三代半导体产能统计
图表64 第三代半导体产业技术创新战略联盟标准列表
图表65 2016-2020年中国SiC、GaN电子电力和GaN微波射频总产值
图表66 2016-2020年中国第三代半导体细分市场规模变动情况
图表67 2020年SiC、GaN电力电子器件下游应用分布
图表68 2020年GaN射频器件下游应用分布情况
图表69 中国主流企业第三代半导体布局情况
图表70 2019-2020年中国金属硅产量统计
图表71 2021年中国金属硅市场价格走势
图表72 2019-2020年中国氧化锌进口数量及增强情况
图表73 氮化镓产业链主要的国际竞争厂商(一)
图表74 氮化镓产业链主要的国际竞争厂商(二)
图表75 氮化镓产业链主要的国际竞争厂商(三)
图表76 氮化镓产业链国内主要企业
图表77 国内碳化硅单晶知名企业
图表78 GaN产业链
图表79 GaN原子结构
图表80 典型GaN HEMT结构
图表81 GaN制备流程
图表82 HVPE系统示意图
图表83 GaN外延生长常用方法示意图
图表84 2018-2021年氮化镓技术领域专利申请量申请/授权数量及占比情况
图表85 截至2021年底氮化镓技术领域专利类型分布情况
图表86 截至2021年底中国氮化镓技术的专利地域分布情况
图表87 2019-2030年中国第三代半导体GaN材料关键技术发展路线表
图表88 截至2020年底中国GaN制造产线情况
图表89 中国GaN材料下游应用市场结构
图表90 GaN功率器件应用领域与市场份额
图表91 氮化镓产业国内外主要厂商布局
图表92 GaN半导体器件类别及应用
图表93 GaN器件主要产品
图表94 Cascode GaN晶体管
图表95 EPC的电气参数
图表96 LGA封装示意图
图表97 2019年国际商业化的GaN RF HEMT器件性能
图表98 2019年国际企业推出的GaN射频产品
图表99 2019年国际上已经商业化的GaN HEMT电力电子器件性能
图表100 2019年部分主流GaN HEMT产品的导通电阻情况
图表101 2019年国际企业推出的部分GaN HEMT电力电子产品
图表102 激光雷达脉冲宽度对距离测量分辨率的影响
图表103 Si和GaN器件驱动的激光雷达成像分辨率对比图
图表104 恒定电压供电方式的典型波形
图表105 包络线跟随供电方式的典型波形
图表106 ET技术的原理框图
图表107 DBC方式的硅基器件的热阻发展趋势
图表108 2020年GaN器件产品电压范围占比预测
图表109 SiC生长炉炉体示意图
图表110 液相生长法熔具结构图
图表111 2018-2021年碳化硅单晶技术领域专利申请/授权数量及占比情况
图表112 截至2021年底中国氮化硅单晶技术领域专利类型分布
图表113 截至2021年底碳化硅单晶技术领域专利区域分布情况
图表114 2019-2030年中国第三代半导体SiC材料关键技术发展路线表
图表115 SiC衬底产业链情况
图表116 2016-2019年中国SiC衬底市场规模与增长
图表117 1990-2030年国内SiC衬底技术指标进展
图表118 2020-2021年国内SiC材料项目签约布局情况
图表119 国内厂商碳化硅投资情况
图表120 4英寸半绝缘型碳化硅晶片
图表121 6英寸半绝缘型碳化硅晶片
图表122 6英寸导电型碳化硅晶片
图表123 碳化硅电力电子器件分类
图表124 2020年国内企业推出的SiC器件
图表125 2019年国际企业推出的部分SiC模块产品
图表126 2020年国内企业推出的SiC器件
图表127 2020-2048年SiC器件在电网应用的技术路线
图表128 2020-2048年电力电子变压器(PET)发展预测
图表129 2020-2048年灵活交流输电装置(FACTS)发展预测
图表130 2020-2048年光伏逆变器发展预测
图表131 2020-2048年采用SiC器件的光伏逆变器市场占比预测
图表132 2020-2048年固态开关发展预测
图表133 2018-2050年各类别车辆规模的预测
图表134 2018-2050年各类别应用装置规模的预测
图表135 2018-2050年应用装置的功率密度预测
图表136 2018-2050年应用装置的工作效率预测
图表137 2018-2050年各种电力电子器件的预测
图表138 2018-2048年车载OBC和非车载充电桩的效率提升预测
图表139 三电平拓扑
图表140 2018-2048年车载和非车载的换流器开关频率提升预测
图表141 Si IGBT和SiC MOSFET控制器效率对比
图表142 对车载和非车载的器件要求
图表143 2018-2025年SiC器件的封装预测
图表144 2020-2048年电动汽车电机驱动采用SiC器件发展预测
图表145 2020-2048年电动汽车无线充电设施采用SiC器件发展预测
图表146 家用消费类电子产品的分类
图表147 适配器电源产品的能效等级要求
图表148 欧美主要国家强制实施的能效等级要求
图表149 不同家用电子产品耗电量分布图
图表150 空调电气控制系统应用框图
图表151 开通电压/电流波形对比
图表152 SiC混合功率模块开关损耗对比
图表153 2000-2030年功率模块未来发展趋势
图表154 2020-2048年家用电器和消费类电子采用SiC功率模块发展预测
图表155 氮化铝晶体结构及晶须
图表156 氮化铝陶瓷基板的性能优势
图表157 InGaZnO4晶体结构
图表158 β-Ga2O3功率器件与其他主要半导体功率器件的理论性能极限
图表159 金刚石结构
图表160 金刚石与其他半导体材料特性对比
图表161 2025第三代半导体材料发展目标
图表162 2018-2020年全球SiC、GaN在电力电子器件的应用规模
图表163 2017-2023年SiC vs GaN vs Si在电力电子领域渗透率情况
图表164 2016-2020年中国SiC、GaN电力电子产值规模变化情况
图表165 2020年中国SiC、GaN电力电子器件应用市场结构
图表166 2019-2025年新能源汽车市场SiC、GaN功率市场规模
图表167 2019-2025年PD快充GaN电力电子器件市场规模及预测
图表168 应用于新能源汽车的GaN芯片
图表169 2017-2020年650V SiC SBD价格变化情况
图表170 2017-2020年1200V SiC SBD价格变化情况
图表171 2019-2020年SiC MOSFET平均价格
图表172 2018-2020年650V SiC MOSFET和Si IGBT价格比较
图表173 2016-2020年中国微波射频行业产值规模变化情况
图表174 2020年中国GaN射频器件各细分市场规模占比
图表175 2011-2020年中国LED半导体照明产业产值
图表176 LED半导体照明产业链结构
图表177 2020年中国半导体照明应用领域分布
图表178 2017-2020年中国激光器市场规模情况
图表179 国内主要半导体激光器企业情况
图表180 半导体激光器细分应用领域
图表181 中国5G县域覆盖情况
图表182 中国5G宏基站4英寸GaN晶圆需求量
图表183 5G主要技术对半导体材料的需求
图表184 2021年中国新能源汽车生产情况
图表185 2021年中国新能源汽车销售情况
图表186 2019-2021年中国新能源汽车月度销量
图表187 SiC在电动汽车中的应用
图表188 搭载SiC功率模块的全新丰田MIRAI与原MIRAI性能对比
图表189 L1-L5各级别自动驾驶所需各类传感器的数量
图表190 L3不同级别自动驾驶汽车的半导体增量成本构成
图表191 2015-2040年中国智能驾驶汽车渗透率
图表192 2021-2025年中国汽车半导体市场规模预测
图表193 第三代半导体材料企业区域分布
图表194 2019年国内第三代半导体集聚区建设回顾
图表195 2019年国内第三代半导体集聚区建设进展(二)
图表196 2019年国内第三代半导体集聚区建设进展(三)
图表197 2014-2019年重庆第三代半导体相关政策
图表198 2018-2021年三安光电股份有限公司总资产及净资产规模
图表199 2018-2021年三安光电股份有限公司营业收入及增速
图表200 2018-2021年三安光电股份有限公司净利润及增速
图表201 2020年三安光电股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
图表202 2020-2021年三安光电股份有限公司营业收入情况
图表203 2018-2021年三安光电股份有限公司营业利润及营业利润率
图表204 2018-2021年三安光电股份有限公司净资产收益率
图表205 2018-2021年三安光电股份有限公司短期偿债能力指标
图表206 2018-2021年三安光电股份有限公司资产负债率水平
图表207 2018-2021年三安光电股份有限公司运营能力指标
图表208 北京赛微电子股份有限公司发展战略
图表209 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司总资产及净资产规模
图表210 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司营业收入及增速
图表211 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司净利润及增速
图表212 2019-2020年北京赛微电子股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
图表213 2021年北京赛微电子股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
图表214 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司营业利润及营业利润率
图表215 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司净资产收益率
图表216 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司短期偿债能力指标
图表217 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司资产负债率水平
图表218 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司运营能力指标
图表219 2018-2021年厦门乾照光电股份有限公司总资产及净资产规模
图表220 2018-2021年厦门乾照光电股份有限公司营业收入及增速
图表221 2018-2021年厦门乾照光电股份有限公司净利润及增速
图表222 2019-2020年厦门乾照光电股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
图表223 2021年厦门乾照光电股份有限公司主营业务分产品或服务
图表224 2018-2021年厦门乾照光电股份有限公司营业利润及营业利润率
图表225 2018-2021年厦门乾照光电股份有限公司净资产收益率
图表226 2018-2021年厦门乾照光电股份有限公司短期偿债能力指标
图表227 2018-2021年厦门乾照光电股份有限公司资产负债率水平
图表228 2018-2021年厦门乾照光电股份有限公司运营能力指标
图表229 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司总资产及净资产规模
图表230 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司营业收入及增速
图表231 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司净利润及增速
图表232 2019-2020年湖北台基半导体股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
图表233 2021年湖北台基半导体股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
图表234 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司营业利润及营业利润率
图表235 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司净资产收益率
图表236 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司短期偿债能力指标
图表237 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司资产负债率水平
图表238 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司运营能力指标
图表239 2018-2021年华灿光电股份有限公司总资产及净资产规模
图表240 2018-2021年华灿光电股份有限公司营业收入及增速
图表241 2018-2021年华灿光电股份有限公司净利润及增速
图表242 2019-2020年华灿光电股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
图表243 2021年华灿光电股份有限公司主营业务分产品或服务
图表244 2018-2021年华灿光电股份有限公司营业利润及营业利润率
图表245 2018-2021年华灿光电股份有限公司净资产收益率
图表246 2018-2021年华灿光电股份有限公司短期偿债能力指标
图表247 2018-2021年华灿光电股份有限公司资产负债率水平
图表248 2018-2021年华灿光电股份有限公司运营能力指标
图表249 2018-2021年闻泰科技股份有限公司总资产及净资产规模
图表250 2018-2021年闻泰科技股份有限公司营业收入及增速
图表251 2018-2021年闻泰科技股份有限公司净利润及增速
图表252 2020年闻泰科技股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
图表253 2020-2021年闻泰科技股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
图表254 2018-2021年闻泰科技股份有限公司营业利润及营业利润率
图表255 2018-2021年闻泰科技股份有限公司净资产收益率
图表256 2018-2021年闻泰科技股份有限公司短期偿债能力指标
图表257 2018-2021年闻泰科技股份有限公司资产负债率水平
图表258 2018-2021年闻泰科技股份有限公司运营能力指标
图表259 2018-2021年株洲中车时代电气股份有限公司总资产及净资产规模
图表260 2018-2021年株洲中车时代电气股份有限公司营业收入及增速
图表261 2018-2021年株洲中车时代电气股份有限公司净利润及增速
图表262 2019-2020年株洲中车时代电气股份有限公司营业收入分产品
图表263 2020-2021年株洲中车时代电气股份有限公司主要财务数据
图表264 2018-2021年株洲中车时代电气股份有限公司营业利润及营业利润率
图表265 2018-2021年株洲中车时代电气股份有限公司净资产收益率
图表266 2018-2021年株洲中车时代电气股份有限公司短期偿债能力指标
图表267 2018-2021年株洲中车时代电气股份有限公司资产负债率水平
图表268 2018-2021年株洲中车时代电气股份有限公司运营能力指标
图表269 2017-2020年第三代半导体投资扩产情况
图表270 2020年国内主要第三代半导体投资扩产情况
图表271 《国民经济和社会发展“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中集成电路发展内容
图表272 2020年国内部分重点第三代半导体投资项目
图表273 2019年国际半导体企业并购情况
图表274 2019年国内部分重点第三代半导体领域并购项目
图表275 2020年重点企业融资情况
图表276 项目投资概算
图表277 2016-2030年中国第三代半导体产业发展预测
图表278 第三代半导体产业处于最佳窗口期
图表279 国内产业合作情况
图表280 中投顾问对2022-2026年中国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值预测

第三代半导体材料具有宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev),也称为高温半导体材料。第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表。

随着5G、新能源汽车等市场发展,第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时,中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下,我国第三代半导体产业实现逆势增长。2020年,SiC、GaN电子电力产值规模达44.7亿元,同比增长54%;GaN微波射频产值达到60.8亿元,同比增长80.3%。2010-2021年,中国第三代半导体专利申请数量处于领先地位;截至2021年12月16日,我国第三代半导体专利申请数量为1582件。

区域方面,我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。从代表性企业分布情况来看,江苏省第三代半导体代表性企业分布最多,如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。从专利数量看,截至2021年12月16日,江苏省为中国当前申请第三代半导体专利数量最多的省份,累计当前第三代半导体专利申请数量高达2860项。北京、山东、广东、陕西和浙江当前申请第三代半导体专利数量均超过1000项。中国当前申请省(市、自治区)第三代半导体专利数量排名前十的省份还有河南省、上海市、湖南省和安徽省。

2021年3月12日,《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》全文正式发布。在事关国家安全和发展全局的基础核心领域,《纲要》提到制定实施战略性科学计划和科学工程。其中,集成电路攻关方面,《纲要》重点强调推进集成电路设计工具、中电装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破,先进存储技术升级,碳化硅氮化镓等矿禁带半导体发展。2021年6月,《长三角G60科创走廊建设方案》提出在重点领域培育一批具有国际竞争力的龙头企业,加快布局量子信息、类脑芯片、第三代半导体、基因编辑等一批未来企业。

我国第三代半导体技术和产业都取得较好进展,但在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距,市场继续被国际巨头占据,国产化需求迫切。我国第三代半导体创新发展的时机已经成熟,处于重要窗口期。

中投产业研究院发布的《2022-2026年中国第三代半导体行业深度调研及投资前景预测报告》共十二章。首先介绍了第三代半导体行业的总体概况及全球行业发展形势,接着分析了中国第三代半导体行业发展环境、市场总体发展状况以及全国重要区域发展状况。然后分别对第三代半导体产业的产业链相关行业、行业重点企业的经营状况及行业项目案例投资进行了详尽的透析。最后,报告对第三代半导体行业进行了投资分析并对行业未来发展前景进行了科学的预测。

本研究报告数据主要来自于国家统计局、商务部、工信部、中国海关总署、半导体行业协会、中投产业研究院、中投产业研究院市场调查中心以及国内外重点刊物等渠道,数据权威、详实、丰富,同时通过专业的分析预测模型,对行业核心发展指标进行科学地预测。您或贵单位若想对第三代半导体产业有个系统深入的了解、或者想投资第三代半导体产业,本报告将是您不可或缺的重要参考工具。

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